我们都清楚，芯片工艺，也便是XX纳米，其实指的是晶体管的栅极线宽，本应该是一一对应的。 但自从芯片工艺进入28nm之后，芯片工艺和晶体管的栅极线宽，就没什么一一对应关系了，由于栅极线宽无法无限的缩小，但工艺又要不断的缩小

  瑞萨面向具有视觉AI和实时操控功用的下一代机器人 推出功用强大的单芯片RZ/V2H MPU

  2024 年 2 月 29 日，我国北京讯- 全球半导体解决方案供货商瑞萨电子（TSE：6723）今天宣告推出一款面向高功能机器人使用的新产品RZ/V2H，进一步扩展其广受欢迎的RZ产品宗族微处理器（MPU）

  ，我国上海 思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213），宣告推出5MP高分辨率快启物联网IoT系列图画传感器新品SC535IoT思特威

  台积电2nm芯片发动，学习三星，扔掉老掉牙的FinFET，选用GAAFET

  在芯片工艺中，有一个中心目标，叫做“线宽”。 什么叫线宽？指的是芯片的最小电路蚀刻宽度，线宽越窄，单位面积所能刻蚀的晶体管数量就越多，功能也就越强。 但线宽不可能无限缩小，由于电路要正常通电，至少也要维持着几十上百个原子的宽度，不可能继续的，无限的缩小的

  36V/1.6A两通道H桥驱动芯片-SS8812T可代替DRV8812

  由工采网署理的SS8812T是一款双通道H桥电流操控电机驱动器；每个 H 桥可供给输出电流 1.6A，可驱动两个刷式直流电机，或许一个双极步进电机，或许螺线管或许其它理性负载；双极步进电机能够以整步、2 细分、4 细分运转，或许用软件完成高细分

  IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列

  一、产品介绍 根据国内外新能源职业开展形状趋势，半导体使用商场继续扩展；关于新能源充电桩、光伏SVG职业，IGBT/SiC MOSFET的使用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器供给驱动才能的来历，商场潜力巨大