压阻式压力传感器组成

  固体遭到效果力后，电阻率就要发生显着的改变，这种效应称为压阻效应。半导体资料的这种效应特别强。使用半导体资料做成的压阻式传感器有两品种型：一种是使用半导体资料的体电阻做成的张贴式应变片；另一类是在半导体资料的基片上用集成电路工艺制成分散电阻，称分散型压阻传感器。压阻式传感器的活络系数大，分辨率比较高。频率响应高，体积小。它大多数都用在测压、加速度和载荷参数。

  由于半导体资料对温度很灵敏，因而压阻式传感器的温度差错较大，有必要要有温度补偿。

  压阻式压力传感器又称为固态压力传感器，它不同于张贴式应变计需经过弹性灵敏元件直接感遭到外力，而是直接经过硅膜片感触被测压力的。硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另- -面是与大气连通的低压腔。

  硅膜片-般规划成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20~60。在圆形硅膜片N型定域分散4条P染质电阻条，并接满足桥，其间两条坐落压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。硅柱形灵敏元件也是在硅柱面某-晶面的必定方向上分散制造电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构满足桥。

  压力传感器的品种十分之多，如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。但使用最为广泛的是压阻式压力传感器，它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。这种传感器选用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上，制成硅压阻芯片，并将此芯片的四周固定封装于外壳之内，引出电极引线。

  压阻式压力传感器主要由固定在硅杯上的硅杯膜片和外壳组成。硅膜片的上下有低压腔和高压腔，高压腔通入被测压力，低压腔与大气相通，检测表压力。也能够分別通入高、低压力，检测差压力。在被测压力或差压效果下，硅膜片发生应变，分散电阻的阻值随应变而改变。传感器的外形结构因被测质性质和测压环境而不一样。由硅杯膜片构成的压力传感器又叫做分散硅压力传感器。

  现已呈现的集成压阻式压力传感器（又称固态压力传感器），选用大规模集成电路技能，将分散电阻、检测扩大电路、温度补傥电路甚至电源改换电路和微处理器集成在同一块中晶硅膜片上，兼有信号检测、处理（扩大、运算、补偿）、回忆功用，然后大大地提高了传感器的稳定性和丈量准确度。